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原厂减产效应还未奏效,市场惨淡的环境下,企业综合实力备受考验

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2019/4/7 13:32:45

2019年首季受需求淡季影响,NAND Flash和DRAM价格持续下滑,同时影响产业链企业营收和获利减少。随着进入Q2季度,业内人士预估市场需求会较Q1有所好转,而且市场价格跌幅也会明显收窄。但是,4月初部分闪存产品价格持续跌势,再加上原厂减产效应还未奏效,以及中美贸易的不确定因素影响,后续市况发展不明朗,大部分厂商目前多持观望态度。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,经历2018年价格大跌后,2019年首季消费类NAND Flash价格指数再跌19.3%,4月初部分闪存产品价格持续跌势,累积价格跌幅已超过了20%,每GB价格跌至0.064美金。于此同时,部分DRAM产品价格跌幅已超过30%。

受跌价的影响,美光2019财年Q2净利润同比大跌超过50%,NAND ASP环比下降20%以内,Bit出货量环比增长。DRAM ASP环比下降20%以内,Bit出货量环比下降10%~15%。三星2019年首季营收同比下滑14%,营业利润大跌60%。市场业内人士预估SK海力士2019年首季营业利润达2.09兆韩元,较2018年同期的4.37兆韩元,同比下滑52%。

正由于首季市场表现惨淡,以及后续持续跌价的发展趋势,使得大部分业内人士看淡2019上半年市况。另一方面,为了更好的应对市场变化,三星、台积电、SK海力士、英特尔、美光等国际大厂纷纷优化企业结构,强化核心技术,以及采取减少投资、裁员等策略,迎2019年产业面临的挑战。

据悉,在提升核心技术和创新应用方面,三星招募半导体专家,加强下一代DRAM和NAND Flash技术,还将调度1000名研发人员,组建新物联网部门,深耕5G和AI两大潜力市场。另外,台积电5nm领先三星进入试产阶段,目标也是锁定潜力巨大的5G与AI市场。

面对三星在核心技术上的投入,SK海力士扩建的中国无锡二期工厂将于4月全面投产,主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片Wafer。英特尔导入更大容量且更具成本竞争力的QLC技术,扩大创新Ruler设计的SSD在数据中心领域的应用。同时,为了减少开支,英特尔裁减了百名IT员工,这是英特尔自2016年以来最大规模的裁减动作,美光则将2019年资本支出下调至90亿美元。

相较于2016年和2017年涨价的时期,2018年部分产业链企业财报已受到影响,2019年企业将陷入苦战。然而,疲软的大环境下,尤其是在持续跌价的行情中,企业加强技术,提高成本竞争力是必须的,同时也在考验企业快速应对市场变化、灵活调整库存等综合实力。 

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