来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2018/11/9 20:07:22
2018年NAND Flash市场供应增加,而市场需求增幅却有所迟缓,尤其是中国手机市场出货下滑,导致市场NAND Flash供过于求。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格指数,截止到11月9日,2018年NAND Flash价格跌幅已达到65%,再加上Q4又是传统的淡季,预计NAND Flash价格还将进一步下滑。
NAND Flash价格下滑是64层3D技术扩大普及后的正常现象,但是市场价格不到1年的时间就大跌65%,却让业内人士始料未及,出乎预料。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格,NAND Flash每GB价格已跌破0.1美金,下探至0.08美金。由于价格的持续下滑,市场价格已接近部分厂商的成本价,这将直接影响到存储企业产品获利和财务业绩,若NAND Flash价格进一步下滑,市场恐出现产品亏本销售的情况。
2018年消费类NAND Flash每GB价格走势图
在跌价的市场环境下,Flash原厂加快96层3D NAND量产已是迫在眉睫。首先,新一代96层堆叠相较于64层,单颗Die容量翻倍,可进一步降低成本,这也是最重要的因素。其次,新技术在量产良率、质量等方面容易出现瑕疵,所以需要预留一定的时间过渡。第三,则来自同业竞争者之间的压力,抢占市场先机很重要。
据悉,三星在7月份已宣布量产96层V-NAND,东芝基于96层3D NAND推出了XG6系列SSD,西部数据则推出了256GB容量的UFS2.1产品。SK海力士新工厂M15已经竣工,并在本周宣布开始初步量产96层4D NAND。英特尔大连二期工厂也开始投产96层3D NAND,还有美光新建的Fab10三期工厂,预计2019上半年96层3D NAND供货会逐步增加。
96层3D技术发展迫在眉睫,但由于NAND Flash行业跌价过快,再加上2018年Q4和2019年Q1均处于传统淡季,原厂又担心市场供过于求的情况更加严重,所以对产出量进行了控制。日前,西部数据宣布Fab工厂减少产出量,并推迟下一步扩产计划,显然是为了平衡市场供需。
Flash供应商 |
Samsung | KRW | 46050.00 | -3.05% |
TOSHIBA | JPY | 3350.00 | +3.08% |
Hynix | KRW | 73800.00 | -4.65% |
Micron | USD | 41.99 | -0.57% |
Intel | USD | 51.66 | +1.67% |
WDC | USD | 47.65 | -0.69% |
UNIS | CNY | 35.11 | -0.06% |
Nanya | TWD | 60.00 | -3.38% |
主控供应商 |
Phison | TWD | 253.50 | +1.60% |
SMI | USD | 40.49 | -0.88% |
Marvell | USD | 18.83 | -1.88% |
ASolid | TWD | 41.30 | -0.72% |
Realtek | TWD | 176.00 | -0.28% |
Goke | CNY | 40.74 | -1.97% |
品牌/销售 |
Innodisk | TWD | 116.50 | -1.27% |
Transcend | TWD | 67.80 | 0.00 |
A-DATA | TWD | 42.45 | -1.51% |
SiS | TWD | 8.88 | -1.11% |
封装厂商 |
OSE | TWD | 14.00 | +2.94% |
PTI | TWD | 70.00 | +0.72% |
JCET | CNY | 10.96 | +2.91% |
ASE | TWD | 58.90 | +0.17% |
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