权威的存储市场资讯平台English

2018年Flash 原厂3D技术有新突破,市场竞争进入白热化

来源:中国闪存市场 编辑:helen 更新:2018/7/20 18:23:30

随着三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等64层/72层3D NAND大规模量产,使得2018上半年NAND Flash价格持续下滑,而如何提升产能、加强成本竞争力成为各大Flash原厂共同面临的难题。2018下半年各原厂3D技术均有了新突破,新一代QLC和96层NAND技术即将面世,市场竞争进入白热化。

目前,三星第五代V-NAND已进入量产,堆叠层数96层,支持Toggle DDR 4.0接口,传输速度最高可达1.4Gbps,相比64层V-NAND提升40%。其制造工艺上也做了优化,制造生产效率提升30%,后续基于该技术三星还将推出容量高达1Tb和QLC V-NAND。

美光与英特尔64层3D QLC NAND单Die容量1Tb,现在已开始生产和出货,96层3D NAND将在2018下半年开始量产。其中美光采用QLC NAND技术的SSD(5210 ION)已对战略合作伙伴的客户出货,预计今年秋季将会扩大供货。英特尔基于QLC NAND面向数据中心市场的PCIe SSD也已开始投产。

此外,美光/英特尔联合开发的第二代3D Xpoint预计将在2019上半年面世。3D Xpoint是一种全新的非易失性存储器,较NAND具有更低的延迟和更大的耐用性,在市场上具有绝对的性能竞争力。英特尔目前已经推出了基于3D Xpoint技术的傲腾品牌的消费级、企业级SSD以及内存产品;而美光基于3D Xpoint的QuantX产品需要等到2019年才推出,大量出货/商业化应用可能是2020年。

东芝/西部数据基于96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND(4bits/cell)单Die容量最高可达1.33Tb。相比美光与英特尔此前发布的64层3D QLC单Die 1Tb的存储密度,东芝/西部数据96层3D QLC容量增加33%。西部数据预计将在2018下半年开始批量出货,并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。东芝预计将会在9月份送样SSD及控制器厂商,2019年开始批量生产。

随着各家原厂QLC、96层3D NAND等技术均有所突破,且在2019年扩大生产规模,预计NAND Flash市场供应量将大幅增加,NAND Flash每GB成本也将进一步降低。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 12-15 04:03

Flash供应商
SamsungKRW38950.00-2.63%
TOSHIBAJPY3355.00-2.75%
HynixKRW61800.00-5.65%
MicronUSD34.42-1.71%
IntelUSD48.11-0.37%
WDCUSD39.35-1.53%
UNISCNY33.47-3.66%
NanyaTWD53.50-1.47%
主控供应商
PhisonTWD233.50-3.91%
SMIUSD33.52-2.64%
MarvellUSD15.43-1.41%
ASolidTWD43.95-0.11%
RealtekTWD145.00-0.68%
GokeCNY39.47-2.01%
品牌/销售
TranscendTWD67.50-0.74%
A-DATATWD40.90-2.39%
SiSTWD9.24-1.60%
封装厂商
OSETWD12.40-1.20%
PTITWD67.70-4.24%
JCETCNY9.73+3.09%
ASETWD60.30-0.33%