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原厂QLC登场,主控厂纷纷跟进,拉开取代TLC的序幕

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2018/6/8 20:07:35

随着大数据、物联网、人工智能等应用的快速发展,海量数据存储需求与日俱增,同时对大容量、高性能存储需求迫切。在Flash原厂技术发展的推动下,继TLC之后,QLC新架构即将进入大家的视野,而且将逐渐取代TLC成为市场主流,如当初TLC取代MLC一样。

去年,东芝与西部数据宣布推出64层QLC NAND,最大容量768Gb,2018年5月美光与英特尔宣布64层 3D QLC NAND开始生产和出货,单Die容量达到1Tb。由于QLC架构是4bits/cell,相比64层3D TLC单颗Die容量512Gb,64层3D QLC容量增加了一倍,也正因为QLC高容量存储优势,将优先满足SSD产品应用需求。

为了满足市场客户对大容量的需求,以及抢占市场先机。在本周举办的台北电脑展上,控制芯片厂纷纷推出新品,且支持新一代QLC 3D NAND。其中Marvell推出了两款最新NVMe SSD控制芯片88SS1084和88SS1100,集成Marvell 第四代NANDEdge技术,具备先进的纠错功能,满足未来96层三阶单元(TLC)和四阶单元(QLC)NAND体系架构日益增长的需求。

慧荣SM2262EN、SM2263EN、SM2263XT等SSD控制芯片采用独有的韧体技术,包括端到端资料路径保护、SRAM ECC,结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend ECC技术,支持最新3D TLC和QLC NAND,满足存储设备所需的高效稳定的需求。

群联推出的PS5012-E12控制芯片也支持QLC,配置了专为最新的3D TLC闪存技术的高整合、低功耗的第三代LDPC除错引擎 (LDPC 3.0 ECC Engine),支持下一代闪存技术3D QLC,是群联目前最新的ECC技术。

在控制芯片的支持下,预计QLC很快将进入SSD市场,美光采用QLC NAND技术的SSD(5210 ION)已对战略合作伙伴的客户出货,预计今年秋季将会扩大供货,相信三星、东芝、西部数据以及SK海力士等新一代SSD也会陆续问世。

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