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被涨价、缺货等笼罩的闪存市场,在2017年会发生什么变化?

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2017/1/11 11:15:47

受惠于智能手机内置存储容量翻倍提升,以及Flash原厂2D NAND转3D NAND空窗期的影响,2016年NAND Flash供应持续紧张,NAND Flash产品价格整体从Q2全面回升,涨势一直延续到年底,其中主流SSD价格涨幅超过40%,eMMC最高涨幅更是逼近60%,上涨幅度之快,持续之久,出乎市场的意料。

那么,2017年闪存市场又将会迎来什么样的变化呢?

在NAND Flash供应端,自从三星成功量产3D NAND,3D NAND迅速成为各家必争的制高点,美光、东芝/西部数据(WD SanDisk)、SK海力士,甚至英特尔也加入到3D NAND。但大部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期,三星最早投入3D NAND,到2016年底生产比重才突破35%,东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%,从而导致3D NAND上市延后。

在熬过1年的撞墙期后,2017年各家原厂纷纷将3D技术提升到64层堆叠,同时三星西安厂/Fab 17/Fab 18、东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将在2017年全面进入3D NAND量产阶段,原厂3D NAND产能竞赛可谓一触即发。

3D NAND技术将持续降低NAND Flash成本

2017年Flash原厂3D NAND技术规划:

● 三星:64层V-NAND产品,三星已经开始了样品的测试和小规模试产,预计在2017年Q1开始放大试产规模,预计V-NAND产能的占比在2017年Q1将达到45%。

● 东芝/西部数据(WD SanDisk):2016下半年宣布3D技术向64层提升,年底已小量生产。2017年会把生产主力切换到64层3D NAND量产。

● SK海力士:2017年计划提升至72层3D NAND量产,将在Q1推出样品,Q2开始小批量生产。

● 美光:64层3D NAND已于2016年12月送样,2017年将逐步进入量产阶段。

Flash原厂2016年产能分析和2017年新Fab工厂规划的详细数据,请参考中国闪存市场ChinaFlashMarket年度产业报告《2016年度闪存产业报告和2017年市场分析》。

需求端,2016年SSD和智能手机市场NAND Flash需求的强势增长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡。2017年高端旗舰机手机在3D NAND发展和苹果iPhone 7引领向256GB提升的推动下,将向更高容量升级,预计将消耗42%的NAND Flash产能。

特别注意的是SSD无论在消费类市场还是企业级市场,已经成了一枝独秀持续增长的生力军,中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2017年SSD存储密度将进一步持续增加至690亿GB当量,较2016年增长57%,有机会取代嵌入式产品成为NAND Flash最大的应用市场,也是Flash原厂和主要模组厂商、OEM厂商等必争之地,市场竞争也将再次升级。

伴随着Flash原厂扩大3D NAND量产规模,大数据和核心应用继续快速增长,相信2017年是存储产业整体快速增长的一年。而任何一个时代的变迁都会孕育出一批伟大的公司,期待着NAND Flash朝气蓬勃的发展,中国闪存市场ChinaFlashMarket也期待着更多精彩故事上演。

更多精彩内容,见《2016年度闪存产业报告和2017年市场分析》完整版PDF报告

本次年度报告为收费版报告,如需相关帮助,请联系Email:Service@Chinaflashmarket.com

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