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三星eUFS 2.1

三星eUFS 2.1

种类:嵌入式存储   品牌:三星
应用领域: 平板电脑智能手机

产品白皮书 文件下载 来源:企业官方网站
三星eUFS 2.1 共13个产品
型号容量接口规范速度(读)速度(写)其他
KLUGGAR1FA-B2C11TBHS400UFS 2.1最高1000MB/秒最高260MB/秒查看
KLUGGAR1FA-B2C1其他参数关闭
随机读取:最高58K IOPS
随机写入:最高50K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.4mm
KLUFG8R1EM-B0C1512GBG3 2LaneUFS 2.1最高860MB/秒最高150MB/秒查看
KLUFG8R1EM-B0C1其他参数关闭
随机读取:最高42K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUEGAJ1ZD-B0CQ256GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUEGAJ1ZD-B0CQ其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 105°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.72mm
KLUEGAJ1ZD-B0CP256GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUEGAJ1ZD-B0CP其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.72mm
KLUEG8U1EA-B0C1256GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUEG8U1EA-B0C1其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUDG8J1ZD-B0CQ128GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUDG8J1ZD-B0CQ其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 105°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUDG8J1ZD-B0CP128GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUDG8J1ZD-B0CP其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUDG4U1EA-B0C1128GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUDG4U1EA-B0C1其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUCG4J1ZD-B0CP64GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUCG4J1ZD-B0CP其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUCG4J1ED-B0C164GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUCG4J1ED-B0C1其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUCG2K1EA-B0C164GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUCG2K1EA-B0C1其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-25°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUBG4G1ZF-B0CQ32GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUBG4G1ZF-B0CQ其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 105°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUBG4G1ZF-B0CP32GBG3 2LaneUFS 2.1最高880MB/秒最高200MB/秒查看
KLUBG4G1ZF-B0CP其他参数关闭
随机读取:最高40K IOPS
随机写入:最高40K IOPS
工作温度:-40°C - 85°C
尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.2mm

系列概览

三星新的1TB eUFS 2.1由16颗512Gb V-NAND和新开发的三星专有控制器封装在一起,尺寸大小11.5mm x 13.0mm。用于满足下一代高端智能型手机、高端平板、5G手机等移动设备产品对容量需求的增长。

性能方面,三星eUFS顺序读取速度高达1,000MB/s,顺序写入速度为260MB/s,相较于512GB在顺序读取速度上提高了16%;随机读取速度为58K IOPS,随机写入速度为50K IOPS,相较于512GB在随机读取速度上提高了38%。

系列图片

企业介绍

三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。
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