型号 | 容量 | 规范 | 接口 | 尺寸 | 其他 | ||||
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KLUCG4J1ED-B0C1 | 64GB | UFS 2.1 | G3 2Lane | 11.5mmx13mmx1.0mm | 查看
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KLUDG4U1EA-B0C1 | 128GB | UFS 2.1 | G3 2Lane | 11.5mmx13.0mmx1.0mm | 查看
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KLUEG8U1EA-B0C1 | 256GB | UFS 2.1 | G3 2Lane | 11.5mmx13.0mmx1.0mm | 查看
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三星UFS2.1系列采用64层 V-NAND FLASH,容量从64GB-256GB,符合最新UFS标准(JEDEC UFS 2.1),可提供先进的数据传输速度和高数据可靠性,连续读取速度最高可达880MB/秒,随机读取速度最高可达47K IOPS。
三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。
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