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三星电子宣布完成5nm FinFET工艺开发，并已开始给客户送样。与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创新的标准单元架构。5nm在金属层图案化中使用EUV光刻，并减少掩模层，同时提供更好的保真度。5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm的IP重新用到5nm工艺制程上，从而使得客户能够有效降低迁移成本，利用预先验证的设计生态系统，缩短5nm产品的开发时间。

三星Foundry与其“三星高级代工生态系统（SAFE™）”合作伙伴密切合作，为三星5nm工艺提供强大的设计基础架构，自2018年第四季度开始提供包括工艺设计套件（PDK），设计方法（DM），电子设计自动化（EDA）工具和IP。此外，三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆（MPW）服务。

2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。三星已为业界提供首批基于EUV的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了首款6nm芯片的流片产品。

目前，基于EUV的工艺技术正在韩国华城的S3生产线上生产。此外，三星将在华城开设一条新EUV生产线以扩大EUV产能，该生产线预计将在2019年下半年完成，并从明年开始增产。