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不同于NAND Flash从年初以来持续跌价的命运，DRAM产业经过两年来的好光景，从第4季起价格走跌的趋势俨然确立，且跌价幅度大于预期；原本预计从11月才开始缓步下跌，然而受到各方应用需求疲弱不振，服务器存储器也受到多重不利因素交杂而延缓拉货，DRAM产业即将再度迎来新一轮低潮的景气循环。而近来掌握DRAM半壁江山的三星电子(Samsung Electronics)释出将放缓新产线投资进度，试图让价格跌势紧踩刹车，但若缺乏强力需求支撑市场，跌价的滚雪球效应恐将越演越烈。

随着PC及智能型手机市场成长力道减缓，服务器等云端应用成为支撑DRAM产业的主力，也带动DRAM持续维持供应吃紧的荣景，尽管外界对于重复下单抱持疑虑，但业界原预期第4季价格下滑仅是市场策略的短期调节。

业界表示，DRAM价格在过去9个季度持续调涨，DRAM大厂为了提前准备旺季来临而提高库存备货，但第3季起供给率逐渐进入饱和，原厂维持价格压力增加，近期美中贸易战对峙紧张，大陆网络巨擘及资料中心建置进度出现观望，而英特尔(Intel)处理器缺货短期难解，更冲击了服务器存储器拉货需求，如今第4季合约价反转调降，下游模块通路的跌价反应更快速，预料11~12月仍将面临跌价压力。

根据外电消息指出，三星原本规划2018年平泽厂将扩充西、东两条DRAM产线，规模分别为5万~6万片及7万~9万片，但近期东产线投产时机仍未确定，西产线扩产规模也缩小至3万片左右，此外，2018年原计划DRAM和NAND的位元成长分别约有20%和40%，据悉，将修正为DRAM位元成长不到20%，而NAND存储器位元成长则约30%。

由于预期DRAM价格于2019年将继续走跌，为了延迟存储器市况转低的时间，据指出，三星2019年针对半导体设备投资额将较2018年呈现减少，其中DRAM投资额恐大砍2成，但NAND Flash投资仍将扩大。由此可推测，三星布局策略开始转变，力保DRAM市况稳定、攻占NAND Flash市占率将成为未来作战主轴。

三星强力巩固DRAM价格止稳，其原因从近期财报可窥知，三星电子公布暂订财务绩效报告，2018年第3季营收为65兆韩元，营业利益为17.5兆韩元。营业利益年增20.4%，刷新了2018年第1季才留下的单季最佳表现，在手机事业表现不振下，存储器业务已经成为三星2018年以来的金鸡母，其DRAM产品毛利率高达7成；同时，美光(Micron)近日公布截止至2018年8月30日的第4季财报，毛利率达到61.0%，而DRAM毛利率也达到7成，NAND毛利率约在48%。

DRAM产业在经历昔日汰弱留强过程后，如今全球仅剩下三星、美光与SK海力士(SK Hynix)，而三星更占据全球DRAM近5成市占率的地位，掌握产业绝对话语权，只要能够持续守稳高获利的DRAM价格，三家DRAM大厂仍将赚得盆满钵满，并握有更多资金银弹投入NAND Flash市场大战。

如今NAND Flash产业正处于战国群雄各自割据，三星先前已宣布将量产第五代90层以上3D NAND Flash，并将陆续投资70亿美元在西安建立第2家NAND Flash制造工厂；东芝(Toshiba)与西部数据(WD)合作3D NAND Flash专用四日市工厂Fab 6从2018年9月起量产堆叠96层3D NAND Flash；市占率最低的英特尔也宣布位于大连的第2期NAND Flash工厂开始投产，并生产96层3D NAND Flash；SK 海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼，并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash存储器。

各家NAND业者大举进攻新世代制程，在市场报价持续滑落下，2018年下半起新增产能供给的军备竞赛加剧，而缺乏DRAM高毛利率作为后盾支持的厂商，2019年面临价格竞争的压力将为严峻。

随着三星开始延缓新产线的扩充进度，市场价格能否止跌仍有待观察，下游业者认为，短期内DRAM价格不至于崩跌，新产能延缓的确有助于缓和市场降价的肃杀气氛，但是否仅止于信心喊话，最终的价格表现仍要依据市场需求，降价讯号已经确立，而美中贸易战及关键处理器缺货等问题恐怕短期难解，如同终端通路的私下透露，如今大家已经坐等着要降价了！