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SK海力士 http://www.hynix.com

SKHynix
SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和平板等设备日益具增,人们对存储芯片的需求也越来越多,SK Hynix技术发展层层突破,以持续不断的研究投资为基础,对市场需求作出高效、快速回应,快速推出新品、迅速... [更多介绍]

SK海力士股价信息南韩指数

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  • 2018-11-18 更新时间

SK海力士全部新闻

SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是满足JEDEC标准的DDR5产品,并将于2020年大规模量产。

SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。

SK海力士推出基于TLC阵列的全球首款96层512Gb CTF 4D 闪存芯片,采用3D CTF 设计,搭配PUC(技术,将在今年内开始初步量产,单个512Gb 闪存芯片相当于64GB存储。

SK海力士公布截至2018年9月30日的2018年Q3财务业绩:营收11.42兆韩元(约合100亿美元),同比增长41%,环比增长10%;营业利润6.47兆韩元(约合57亿美元),同比增长73%,环比增长16%;净利润4.69兆韩元(约合41亿美元),同比

根据韩国媒体报导,SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂竣工典礼,并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash存储器。

KLEVV NEO N500是一款标准的7毫米2.5寸SATA SSD,面向低端市场,采用了一颗慧荣SM2258XT主控,四通道,支持LDPC ECC纠错和pSLC缓存加速。

9月3日,无锡高新区与韩国SK海力士签署协议,SK海力士中国销售总部正式落户无锡高新区,这是无锡与SK集团深化全面战略合作的最新成果。

SK海力士(SK Hynix)正在兴建中的清州M15厂,预计最快9月中旬完工并举行竣工仪式,显示SK海力士正加速量产第五代堆叠96层3D NAND。

SK海力士宣布推出业界首款4D NAND,采用CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型),存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。与传统架构相比,4D NAND的外围电路(PUC,Peri.Circuits)架构,可缩小芯片面积、

7月27日,SK海力士宣布,将投资3.5兆韩元在京畿道利川新建一座存储器工厂,以应对不断增长的Memory存储需求,并保证未来产能增长的动力。

企业信息
公司总部
公司名称:
SK 海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
82316304114

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