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受宏观经济不确定、CPU缺货以及手机、数据中心等市场需求低迷等因素影响，导致DRAM和NAND市场供过于求，价格持续下滑。在存储市场下滑的大环境下，三星预警芯片业务将面临艰难的一年，美光决定减少Wafer投片量以及减少资本支出，平衡市场供需。

美光Q2季度净利润大跌43.6%，NAND Flash和DRAM价格下滑是主因

3月21日，美光发布了截止至2019年2月28日的2019财年Q2财报，该季度营收58.4亿美元，同比下滑20.6%，净利润更是跌至19.7亿美元，同比大跌43.6%，毛利率下滑至50.2%，其主因在于DRAM和NAND价格持续下滑，影响到财务业绩表现。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，2018年消费类NAND Flash价格指数大跌65%，2019年截止到3月21日，消费类NAND Flash综合价格指数再跌17.5%，每GB价格更是下探至0.066美金。而相较于NAND Flash，2019年部分DRAM价格累计跌幅已高达25%以上。

来源：中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

不仅仅是美光财报受到影响，据FnGuide预测2019年首季三星电子营业利润达8.33兆韩元（约合74亿美元），较2018年同期的15.64兆韩元（约合138亿美元），同比减少47%。同时，预估SK海力士2019年首季营业利润达2.09兆韩元（约合18.5亿美元），较2018年同期的4.37兆韩元（约合39亿美元），同比下滑52%。
 
美光Q2 NAND和DRAM营收下滑，推进新技术发展降低成本是首要工作

受市场行情下滑的影响，美光该季度NAND营收为17.5亿美元，占Q2营收的30%，同比下降2%，环比下降18%；ASP环比下降20%以内，bit出货量环比增长。DRAM营收为37.34亿美元，占Q2营收的64%，同比下降28%，环比下降30%；ASP环比下降20%以内，bit出货量环比下降10%~15%。

为了改善下滑的财务状况，美光将在2019下半年持续增加1ynm产量，同时送样下一代1znm新技术产品。在NAND Flash技术方面，美光正在快速提高96层3D NAND产能，随着良率的不断提升，该技术会比64层3D NAND更有成本竞争力。

改善存储市场供需势在必行，美光决定将Wafer总量减少5%，资本支出减少15亿美元

在美光发布财报之前，3月20日三星电子在年度股东大会中表示，全球贸易关系紧张、经济增长放缓，以及数据中心企业需求疲软，2019年芯片将面临困难的一年，这不仅是三星一家的困难之年，也将是大部分厂商将要面临的挑战。

美光预计2019年NAND Flash bit增长率约30%，NAND Flash bit需求增长将低于供应的增长，DRAM Wafer的需求也低于产业供应量，缺口大约5%。

从库存来看，DRAM和NAND价格自去年开始下跌，随后库存水位持续攀升。近期原厂库存普遍来到高水位，美光2019财年 Q2库存周转天数为134天，较上季度增加27天，预计到下个季度仍会增加。为了改善市场供应过剩的情况，美光将DRAM和NAND晶圆投片量都将减少5%，同时资本支出也减少15亿美元，用于减少DRAM和NAND在下半年的供应。

展望：下季DRAM bit出货量持续增长，NAND bit出货量将缓慢下跌

美光展望Q3，营收预期在46~50亿美元，EPS在0.75~0.95，毛利率在37%~40%，2019财年全年资本支出减少到90亿美元。从美光Q3营收预期来看，仍然较2018年同比下滑14.3%-21.2%。

来源：美光

美光预计客户库存水位将在年中回到正常，行业DRAM bit出货量在下个季度持续增长，并期待Q4迎来更高的增长率；行业NAND bit出货量在下个季度缓慢下跌，并在Q4迎来增长。

从需求大趋势来看，基于库存调整和云客户软件优化等因素，数据中心在过去两年增长显著，中高端智能手机对DRAM和NAND Flash容量需求持续增加，美光也预期在2019下半年可能会看到DRAM和NAND的需求反弹。只不过，由于原厂技术和工厂扩产等推动下，NAND Flash和DRAM供应的增长速度超过市场需求的增长。

在2019年可预见的下滑行情下，部分原厂采取了减产的措施，但在减产效应还未奏效前，如何把握时局变化，灵活调整库存，寻求新的市场增长，成为各家企业面临的最大问题。