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每周新闻报:产业热点速读

编辑:Olivia 发布:2019-06-21 19:20

1、后续财报挑战大,美光和SK海力士相续传出减缓DRAM扩产的消息

据日刊工业新闻报导,美光延迟了在日本广岛F新厂的投资计划,部分扩建将向后推迟7个月。

不仅是美光,日前也传出SK海力士放慢中国工厂DRAM生产的步伐。据悉,SK海力士无锡制造工厂(C2F)在4月完成扩建,原计划于第三季度启动全面运营,主要用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片12英寸Wafer。

2、SK海力士推出企业级低功耗NVMe SSD:72层 3D TLC,最大容量8TB

SK海力士推出新型低功耗企业级NVMe SSD(eSSD),可提供最佳的电源和质量性能服务。采用72层3D TLC 以及自研NVMe控制器,8通道NAND接口,M.2规格形态最大容量4TB,U.2规格形态最大提供8TB容量。新的NVMe SSD以最佳性能,功耗和成本为目标,面向主流eSSD市场。新产品的发布将巩固SK海力士在云端数据中心SSD市场的地位。

3、未来十年投资16.8亿美元,韩国加速韩企技术研发和导入EUV等先进设备

韩国将在未来10年里投资超过1兆韩元,为下一代半导体增长做准备,并公布了其详细投资计划,主要是聚焦智能半导体、微处理设备制造技术、系统半导体和高科技设备等,提高整个半导体生态系统商业化的进程。

4、PCIe 6.0速度狂飙256GB/s,PCIe前景无限

PCI-Sig组织发布PCIe 6.0标准,x16配置速度可提高到256GB/s,同时保持与前几代产品的向后兼容性,并提供高效率和经济高效的性能,不过,PCIe 6.0规范预计要到2021年时机才成熟。

5、东芝将推PCIe 4.0 SSD,已通过PCI-SIG FYI Gen 4测试

东芝将推出的PCIe 4.0 NVMe SSD经过了PCI-SIG FYI Gen 4测试,预计新品即将上市。新PCIe 4.0标准将使SSD能够提供比较PCIe 3.0 SSD更高的性能,尤其是顺序读取性能上,其中读速度可超过6000MB/s。目前影驰、技嘉、CORSAIR、威刚等已宣布其PCIe 4.0 SSD。

6、后续市况不明,市场心态摇摆不定,备货or不备货是难题!

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示,经历4月份的杀价后,以及在这种消极且心态摇摆不定的市况影响下,SSD价格跌幅明显放缓。

原本2019年市场需求因为全球经济疲软、智能型手机需求下滑,数据中心库存调整等影响,买气一直表现低迷,再加上贸易战不仅影响了华为,也牵动着整个产业链的“神经”,这也加深了下游厂商不愿过多备货的心态,甚至出现订单减半的情况,这种情况主要表现在渠道市场。

7、加码Foundry、抗衡TSMC,三星致力成为存储和逻辑芯片双料冠军

三星致力成为存储芯片和逻辑芯片的全球领导者,在研发和晶圆代工业务上加码,加速扩大逻辑芯片实力,以应对下滑周期,在低谷加强竞争优势、巩固护城河。

今年4月,三星计划到2030年共投资133兆韩元(约1200亿美元),加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力,其中55%投入到技术研发,45%投入到晶圆制造,旨在2030年成为存储领域和逻辑芯片领域的全球领导者。半导体投资计划公布不久,在5月份的Samsung Foundry Forum中,三星也发布了最先进的GAA 3nm工艺设计。

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