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每周新闻报:产业热点速读

来源:中国闪存市场 编辑:Amanda 更新:2019/2/22 18:40:40

1、倾力打造中国自主可控SSD,得一微电子与至誉科技达成重要合作!

深圳市得一微电子宣布与武汉至誉科技达成重要战略合作协议,至誉科技将采用得一微电子固态硬盘 (SSD)存储控制芯片,推出中国真正实现自主可控的固态硬盘 (SSD)。

2、华为手机2019年冲刺2.5亿台,中国企业占据全球NAND Flash消耗的核心地位

产业链最新消息称,华为内部确认2019年手机出货目标是2.5亿台,2020年有望挑战3亿台。这不仅代表华为将超过苹果成为全球排名第二的智能型手机厂商,还将在2020年挑战三星的霸主地位,更让NAND Flash市场为之振奋。

智能型手机是NAND Flash重要的应用市场,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2018年NAND Flash存储密度2260亿GB当量,以手机应用为主的嵌入式闪存大约消耗了44%的NAND Flash产能,2019年依然是消耗NAND Flash产能的重要应用。

NAND Flash产品应用分布

来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

3、扩大图形业务团队,英特尔以全现金收购Ineda Systems

据外媒报道,英特尔以全现金收购Ineda Systems,条款不明。作为收购的一部分,英特尔将获得约100名具备图形技术的Ineda工程师。Ineda Systems创始人Dasaradha Gude证实了这一消息,但拒绝透露任何细节。此外,英特尔官员证实了这笔交易,但他们也拒绝披露交易细节。

4、格芯聘请高通前高层出任中国区总裁

全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,聘请前高通副总裁莱莫斯(Americo Lemos)担任中国区总裁及亚洲业务发展负责人,负责推动亚洲地区相关业务。

针对近期市场诸多传言,莱莫斯回应称,格芯日前宣布ASIC独立子公司成立、搁置7纳米制程,成都厂第一期喊停,并出售新加坡Fab 3E厂。对于日前格芯成都厂裁员停工传闻,莱莫斯表示,对于成都格芯的相关匿名信息不予置评,公司里员工来来去去,产业圈内也常有各种谣言。

5、三星Galaxy S10容量率先大批量推高至1TB,将对NAND Flash带来积极影响

2月21日,三星发布了多款手机,分别是Galaxy S10系列手机(10E、10、10+),Galaxy S10 5G手机,Galaxy Fold折叠手机。三星本次发布会亮点十足,5G、折叠、12GB+1TB大容量等,将带动三星智能型手机出货量增加。三星在发布会上表示发展到现在,Galaxy已经卖出了20亿部。

不仅仅是三星,从2月下旬开始,华为、小米、中兴、OPPO、VIVO集体发布新机,小米就发布了小米9,采用7nm工艺骁龙855,其搭配的6GB+128GB版本售价为2999元,8GB+128GB版本售价为3299元,12GB+256GB透明尊享版售价为3999元。

与5年前相比,智能型手机搭载Flash容量已从4GB/8GB升级到512GB/1TB大容量,提高数百倍,也因此智能型手机成为NAND Flash重要的应用市场。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2018年NAND Flash存储密度2260亿GB当量,以手机应用为主的嵌入式闪存大约消耗了44%的NAND Flash产能,预计2019年在三星、华为、小米等搭载容量升级的带动下,将进一步消耗NAND Flash产能。

6、东芝存储器获得DBJ 3000亿日元投资,计划9月IPO

东芝存储器(Toshiba Memory)表示,已于2月20日获得日本政策投资银行(DBJ)3000亿日元投资。东芝存储器计划于今年秋季向东京证券交易所进行首次公开​​募股(IPO)。东芝存储器计划回购苹果和其他业务合作伙伴所拥有的优先股,并组织股东的组成。

7、SK海力士公布投资计划:未来10年投资490亿美元用于存储领域

SK海力士表示将与国内外50个合作伙伴参与投资建设韩国龙仁市半导体工业区的项目,该半导体群集项目最终确认后,SK海力士计划投资120兆韩元(约合1069亿美元,汇率:0.0008905,下同)自2022年开始着手建设4个半导体工厂(FAB),同时半导体工业区项目还将引进国内外50多家设备/材料/零件供应商。

SK海力士将继续投资现有的京畿道利川和清州工厂,计划利川M16将在10年内在建设和研发方面投资20兆韩元(约合178亿美元)。清州未来10年投资35兆韩元(约合312亿美元),其中包括2018年对M15工厂的投入。SK海力士将把清州作为NAND Flash的核心生产基地。除了利川,龙仁市将成SK海力士生产DRAM和相关半导体的重要基地,促进中长期增长。

8、5G手机爆发在即,西部数据推出UFS3.0新品:采用先进96层3D NAND

西部数据(Western Digital)宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格,提供64GB-512GB容量选择,目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。


 

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