NAND Flash上游供给紧缩奏效 2019年Q2有望谷底反弹

NAND Flash价格从2018年以来一路下跌，2019年首季全球存储市况再次陷入低迷，大部分业内人士保守看待，使得NAND Flash价格持续探底，然而随着原厂调整供给产出，业界认为，原本对于2019年上半出货难有期待，但下游渠道开始酝酿调涨动作，预计最快系统厂可望从第二季起开始回补库存，并带动NAND Flash价格从低谷反涨。

受上游原厂制程竞赛激烈影响，2018年NAND Flash市场供过于求。市场估计，消费类价格跌幅达到50~65%，市场原本预期2019年第一季NAND Flash跌价扩大至2成左右，跌势将延续至上半年，不过业界认为NAND Flash的价格走势将触底反弹，第一季可能成为全年价格的最低点。

群联董事长潘健成表示，NAND Flash价格往下走，第一季营收将可看到需求逐渐回温，尽管1月处于淡季，但群联营收达新台币33.58亿元，月增13.38%，提早反应出控制器与模块产品需求同步成长，其中，控制器出货量达到450万颗，全年出货将可望维持2018年大幅成长的趋势。

由于下游客户预期NAND Flash跌价心态，2018年下半的库存备料水位极低，到了第四季已经出现「面条比面粉还便宜」的现象，但随着上游原厂陆续启动减产或控制产出的措施，市场跌价幅度有限。

如今发现「面粉价格跌不下来」，因而促使了终端产品必须涨价，尤其是价格反应敏感的下游渠道商近期开始酝酿涨价，同时各家厂商因定制2019年销售目标，补货需求增加，而系统OEM厂的合约价格反应较慢，虽然近期仍处于跌价，但预计回补库存将可能从第二季开始出现。

由于2018年上半各家原厂持续扩大64层的3D TLC NAND产出，下半年96层新制程陆续导入量产，据中国闪存市场ChinaFlashMarket估计，2018全年NAND Flash供应大幅增加40%，但价格却面临旺季不旺，包括智能手机出货不如预期，英特尔CPU缺货，而全球数据中心需求也在下半年出货疲乏，导致 NAND Flash供过于求雪上加霜。业界估计，消费类SSD每GB价格在2018年底已跌破0.1美元。

受到市场价格下跌压力，上游NAND Flash原厂陆续改变策略，并放缓96层3D制程的推进，以及缩减2019年投资金额等。其中，三星电子(Samsung Electronics)缩减平泽工厂二楼的生产规模，预计2019年NAND Flash产能将较2018年底下调，位元年产出成长率降至约35%；美光(Micron)更将2019年投资预算从之前预估的105亿美元，下修至90亿美元。

中国闪存市场ChinaFlashMarket估计，2019年NAND Flash产出密度将从原本预估的3,200亿GB当量下调至3,100亿GB当量，成长率将下滑至35%。

全球NAND Flash存储密度增长趋势

业者认为，受到64层制程的主流产品遭受利润侵蚀，而96层良率仍有待改善、生产周期拉长等压力，为了避免利润持续衰退，NAND Flash产出供给量已转趋紧缩，对于淡季市场价格将可望获得支撑。

从SSD跌价幅度来看，2019年1~2月已看到现货市场跌幅趋缓，部分非主流规格的产品价格稳定，显示上游原厂的价格策略也开始调整，预计第一季整体跌价幅度将可望落在10%左右。