编辑:Helan 发布:2018-12-12 09:53
2018年NAND Flash价格持续大跌,DRMA涨价也告一段落,价格也在持续下滑。市场预计NAND Flash和DRAM跌价将在2019上半年持续发酵。在价格下滑的冲击下,存储厂商营收将受到影响,再加上智能型手机需求下滑,三星正在提高晶圆代工的竞争力,3nm工艺已经完成了性能验证,将于2020年大规模量产。
美光曾在财报中预估2019年DRAM产业bit产出量增长20%,NAND产业bit产出量增长35%-40%。NAND Flash和DRAM供应增加是导致价格下滑的主因。花旗更是预估2019年DRAM价格至少会降价30%。
台积电大约占据全球晶圆代工市场60%的份额。在3nm节点上,台积电曾表示将投资200亿美元左右建3nm圆晶厂,预计到2022年才会量产3nm制程技术。
为了弥补存储器降价带来的冲击,三星2019年将加强晶圆代工业务。三星晶圆代工曾在32nm、14nm及10nm节点率先量产,虽然目前在7nm节点上落后了台积电,但三星已投资56亿美元新建晶圆厂,计划2019下半年开始量产7nm以下制程技术,并推进3nm工艺,将在2020年大规模量产,届时有望赶超台积电,提高市场竞争力。
存储原厂 |
三星电子 | 76600 | KRW | -2.54% |
SK海力士 | 171400 | KRW | -4.67% |
美光科技 | 111.78 | USD | -0.60% |
英特尔 | 34.50 | USD | +0.64% |
西部数据 | 69.55 | USD | -0.53% |
南亚科 | 65.6 | TWD | +0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 696 | TWD | +1.16% |
慧荣科技 | 73.73 | USD | +1.60% |
美满科技 | 64.85 | USD | +1.55% |
点序 | 78.1 | TWD | -0.89% |
国科微 | 47.85 | CNY | +3.33% |
品牌/模组 |
江波龙 | 98.85 | CNY | +0.50% |
希捷科技 | 87.11 | USD | +0.67% |
宜鼎国际 | 283 | TWD | -1.74% |
创见资讯 | 90.1 | TWD | -0.33% |
威刚科技 | 98.7 | TWD | -0.8% |
世迈科技 | 17.76 | USD | -0.95% |
朗科科技 | 25.00 | CNY | +2.38% |
佰维存储 | 49.51 | CNY | +5.36% |
德明利 | 122.30 | CNY | +0.66% |
大为股份 | 11.07 | CNY | +4.93% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.6 | TWD | +0.16% |
力成 | 173 | TWD | 0% |
长电科技 | 24.35 | CNY | -0.12% |
日月光 | 145 | TWD | -2.03% |
通富微电 | 20.08 | CNY | +1.93% |
华天科技 | 7.62 | CNY | +1.60% |
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