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2017年NAND存储密度1620亿GB当量,2018年增30%

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2018/3/14 12:33:50

2017年Flash原厂三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等3D NAND提高到64层/72层堆叠,NAND Flash单颗容量提高到256Gb和512Gb量产,相较于2D NAND容量翻倍,再加上不断提高3D NAND产出量,2017年NAND Flash存储密度达到1620亿GB当量。

全球NAND Flash存储密度增长趋势

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2018年将是3D NAND爆发性增长的一年,一方面是因为三星、东芝、美光、SK海力士等64层/72层3D NAND单颗Die容量提高到256Gb和512Gb,相较于2D NAND技术工艺的128Gb容量翻倍,同时与48层3D NAND技术相比,同等容量Wafer产出Die颗的数量可增加60%,NAND Flash产出进一步增加。

另一方面,三星Fab18开始投入量产,并有意打造成为三星单个产能最大的工厂,预估满载月产能约17万片Wafer,而且传三星将对西安厂进行扩产,3D NAND产出量进一步扩大。东芝和西部数据共同投资的Fab6工厂,一期正在安装设备,2018年即将投入生产。Fab6二期工厂和Fab7工厂也正在按照计划进行,东芝筹建Fab7工厂,初期建设投资70亿日元,传西部数据计划投资5000亿日元,用于Fab6和Fab7工厂建设。SK海力士M14工厂也会增加Wafer的产出量。在原厂技术提升和新工厂扩大投产的推动下,中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2018年NAND Flash存储密度将增长30%。

NAND Flash市场的成长主要是应对市场需求的增加,主要是高端智能型手机容量翻倍和SSD需求强劲。

NAND Flash应用分布

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2017年全球智能型手机出货14.9亿台,苹果iPhone 8/8 Plus/X三款机型仅提供64GB和256GB两种容量,若按照6:4比例,平均容量高达140GB,而且三星Galaxy S8、华为P10/Mate 10、OPPO、VIVO等旗舰机纷纷以64GB和128GB为主打容量,再加上平板、车载、智能盒子等市场需求,2017年eMMC/eMCP等嵌入式产品消耗了42%的NAND Flash产能。

2018年,三星Galaxy S9 / S9+引领非苹果阵营向256GB迈进,预计华为、OPPO、VIVO将在3月份推出的旗舰机也将会跟风效仿,这将使得嵌入式产品对NAND Flash产能的需求进一步扩大。

SSD市场,数据中心、服务器等领域对数据分析、处理、响应速度的要求不断提高,谷歌、Facebook、百度、阿里巴巴、腾讯、华为等对SSD需求强劲。在NAND Flash市场缺货的时期,三星基于先进的64层3D NAND优先供货给高利润且数据存储量较大的企业级SSD客户,英特尔基于32层3D NAND以及3D Xpoint技术满足大数据存储需求,2017年全球企业级SSD市场出货2200万台,平均容量需求达到1.5TB,对NAND Flash产能消耗量较大。

SSD在消费类PC市场的渗透率

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消费类市场,超极本、二合一等轻薄笔记本对SSD搭载率不断增加,2017年消费类市场SSD出货1.35亿台,再加上工业、金融、车载等领域SSD需求,全球SSD共消耗了42%的NAND Flash产能。2018年随着NAND Flash成本的下滑,以及SSD向PCIe接口发展趋势带动下,2018年SSD在消费类PC市场的渗透率将超过50%,同时也有望成为NAND Flash第一大应用市场。

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