权威的存储市场资讯平台English

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

来源:华虹半导体 编辑:Helan 更新:2017/12/28 10:55:37

全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司宣布其第二代90纳米嵌入式闪存(90nm G2 eFlash)工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。

此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。

因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量 eFlash 的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。

目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化工艺,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

股市快讯 02-17 18:27

Flash供应商
SamsungKRW46050.00-3.05%
TOSHIBAJPY3350.00+3.08%
HynixKRW73800.00-4.65%
MicronUSD41.99-0.57%
IntelUSD51.66+1.67%
WDCUSD47.65-0.69%
UNISCNY35.11-0.06%
NanyaTWD60.00-3.38%
主控供应商
PhisonTWD253.50+1.60%
SMIUSD40.49-0.88%
MarvellUSD18.83-1.88%
ASolidTWD41.30-0.72%
RealtekTWD176.00-0.28%
GokeCNY40.74-1.97%
品牌/销售
InnodiskTWD116.50-1.27%
TranscendTWD67.800.00
A-DATATWD42.45-1.51%
SiSTWD8.88-1.11%
封装厂商
OSETWD14.00+2.94%
PTITWD70.00+0.72%
JCETCNY10.96+2.91%
ASETWD58.90+0.17%