编辑:Helan 发布:2017-12-28 10:55
全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司宣布其第二代90纳米嵌入式闪存(90nm G2 eFlash)工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。
华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。
此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。
因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量 eFlash 的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。
目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化工艺,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。
存储原厂 |
三星电子 | 77400 | KRW | -1.53% |
SK海力士 | 175300 | KRW | -2.5% |
美光科技 | 111.78 | USD | -0.60% |
英特尔 | 34.50 | USD | +0.64% |
西部数据 | 69.55 | USD | -0.53% |
南亚科 | 65.5 | TWD | +4.3% |
主控供应商 |
群联电子 | 688 | TWD | +3.93% |
慧荣科技 | 73.73 | USD | +1.60% |
美满科技 | 64.85 | USD | +1.55% |
点序 | 78.6 | TWD | +2.88% |
国科微 | 46.31 | CNY | +0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 98.36 | CNY | +3.76% |
希捷科技 | 87.11 | USD | +0.67% |
宜鼎国际 | 288 | TWD | +1.41% |
创见资讯 | 90.4 | TWD | +1.35% |
威刚科技 | 99.2 | TWD | +4.97% |
世迈科技 | 17.76 | USD | -0.95% |
朗科科技 | 24.42 | CNY | +5.17% |
佰维存储 | 46.99 | CNY | +4.33% |
德明利 | 121.50 | CNY | +0.55% |
大为股份 | 10.55 | CNY | +2.53% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.5 | TWD | +3.99% |
力成 | 171.5 | TWD | +1.48% |
长电科技 | 24.38 | CNY | +3.66% |
日月光 | 148 | TWD | +2.07% |
通富微电 | 19.70 | CNY | +4.12% |
华天科技 | 7.50 | CNY | +3.02% |
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