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国内存储产业加速,东芯半导体推出24nm闪存芯片

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2017/10/15 20:46:40

近日,中国闪存市场ChinaFlashMarket了解到,国内存储器芯片设计厂商东芯半导体,采用国内先进的24nm闪存工艺已成功研发出8Gb SLC/16Gb MLC NAND闪存产品,这标志着中国大陆已经具备以先进制程工艺来开发、设计及制造一系列闪存芯片的能力,进一步缩小了与国际厂商技术水平间的差距。

随着物联网产业的蓬勃发展,智能终端产品普及进一步扩大,工业、行业等领域也正在向智能自动化发展,预计到2020年全球物联网设备将超过260亿,这些领域对于存储的需求都呈现持续不断的增长趋势。东芯半导体研发出的8Gb SLC/16Gb MLC NAND闪存产品将会大量应用在工业、行业、物联网等市场,如:智能手表、机顶盒、IPTV、网络摄像机、功能机等存储应用。此外,东芯半导体也正在与国内外知名Flash主控厂家一起开发小容量eMMC和工业领域的闪存卡等安全存储产品满足市场需求。

东芯半导体致力于不断提高自主研发能力,于2015年4月成功收购韩国知名半导体厂商Fidelix股权后,成为其第一大股东及实际控制人。Fidelix是全球领先的Memory Fabless(无生产线存储芯片)设计公司之一,在Memory行业(尤其是NAND Flash领域)享有较高的声誉。东芯半导体通过中韩技术交流合作,加强在NAND Flash、NOR Flash、SDR/DDR等存储芯片的研发及销售,此前已经成功实现38nm闪存工艺1Gb/2Gb/4Gb SLC 等多项NAND Flash芯片的研发和量产,并达到国际大厂相同工艺和性能指标,与国内多家存储重要厂商和客户深入配合。

在大数据与云计算时代,中国作为重要的市场,数据存储需求与日俱增。近几年,国家加大对存储产业的建设,以及加强对数据信息安全存储的重视,产业扶持政策和新项目投资也在持续升温中。

东芯半导体是目前中国本土为数不多的拥有NAND Flash自主开发能力的芯片设计公司,其采用先进制程的NAND Flash助力提升中国在Memory行业的设计研发能力,为国家集成电路产业发展之IC 设计能力达到国际领先水平打下了基础。我们也相信会有更多如东芯半导体等类型的芯片设计公司推出更多、更好的国产存储芯片产品,加快中国存储产业发展的步伐。
 

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