三星、SK Hynix明年激战18nm DRAM

三星电子、SK Hynix与美光预料都会在明(2016)年开始量产18nm制程技术的DRAM，下一个目标则将瞄准10nm。

BusinessKorea 13日报导，三星、SK Hynix在量产18nm DRAM之后，打算运用ASML制造的极紫外光(EUV)微影设备，目标是在2020年将DRAM制程技术逐步从15nm进一步演进至10nm。美光也打算在一年内对日本广岛厂注资1,000亿日圆(相当于8.34亿美元)、量产16nm制程DRAM，产量可较20nm制程多出20-30%，对三星与SK Hynix构成威胁。

不过，想要克服20nm制程的限制，则必须改变介电层的设计，才能使用原子结构比现有的分子结构更为紧密的材料，而美光目前还未取得相关技术，也让市场专家对美光的野心产生怀疑。另外，若想要导入16nm制程技术，美光也需购入每台要价1,000亿韩元(8,700万美元)的EUV设备，该公司对日本的投资额还不太够，而ASML每年也仅能生产7-8台EUV设备。

相较之下，三星打算在明年下半年开始量产18nm DRAM，并计划将DRAM的制程技术从18nm演进至15nm、并于2020年进一步拉升至10nm。SK Hynix在今年第3季成功量产20nm DRAM之后，将在明年第1季研发18nm技术、希望最快能赶在明年下半年量产18nm DRAM。业界消息人士指出，三星在20nm DRAM与竞争对手保持了一年(甚至更多)的差距，但在10nm预料会面临对手竞争。